錦正茂二維亥姆霍茲線圈技術指標  典型的單軸亥姆霍茲線圈是具有相同線圈匝數，相同線圈繞制方式，線圈半徑等于線圈間距的兩個線圈組成的。亥姆霍茲線圈一般用來產生體積比較大、均勻度比較高， 但磁場值比較弱的磁場。用戶可以利用這個磁場來完成各種實驗，亥姆霍茲線圈可根據不同的應用產生靜態DC或AC磁場。其主要用途有：地球磁場的抵消、判定磁屏蔽效應、電子設備的磁化系數、磁通門計和航海設備的校準、生物磁場的研究及與磁通計配合使用檢測永磁體特性。適用于各研究所，高等院校及企業做物質磁性或檢測實驗，應用于材料、電子、生物、醫療、航空航天等領域。

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錦正茂二維亥姆霍茲線圈技術指標  錦正茂科技有限公司擁有自己的磁場開發團隊，在亥姆霍茲線圈的設計方面具有豐富的經驗，生產的亥姆霍茲線圈的質量和穩定性具有其它廠家*的*性。可為您提供一維，二維和三維的亥姆霍茲線圈。所涉及的線圈可以是固定的，也可以是旋轉的，形狀可以是球形或立方體。所產生的磁場的范圍可以從幾百nT到上千高斯，磁場的均勻度在均勻區內可以達到萬分之一。您可以將您的要求反饋給我們，我們可以根據您的設計要求進行仿真計算設計。所有特殊的安裝要求應該在應用中注明。相信我們*的技術，*設計思想和我們*的制造工藝能給您提供滿意的產品和服務。

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二維亥姆霍茲線圈技術指標：

磁場方向X軸、Z軸相互正交，X軸水平磁場可旋轉，X軸高磁場強度可達240Gs，Z軸高磁場可達240Gs。平均直徑極小值220mm，均勻區球體Φ30mm，均勻度0.1%，Z軸電源功率800W，X軸2800W。